[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710606836.X | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107403840B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 宫本敏行;野村昌史;羽持贵士;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体装置、以及该半导体装置的制造方法。具体地，提供一种可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成栅电极；在形成所述栅电极后，形成含有氮的第一栅极绝缘层；在形成所述第一栅极绝缘层后，形成含有氮的第二栅极绝缘层；在形成所述第二栅极绝缘层后，形成氧化物半导体层；以及形成与所述氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极，其中，所述第二栅极绝缘层具有比所述第一栅极绝缘层低的氢浓度，并且，靠近栅电极一侧的所述氧化物半导体层中铟的含量多于镓的含量，并且离栅电极远的一侧的所述氧化物半导体层中铟的含量少于或等于镓的含量。
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