[发明专利]一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法

摘要

本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P⁺区域和N⁺区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。

主权项

1.一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于，所述制备方法至少括：1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、底层硅以及形成于所述顶层硅和底层硅之间的埋氧层；2)刻蚀去除所述顶层硅的边缘区域；3)在所述顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与下方对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物，分别作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，同时在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P+区域和N+区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。