[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201710565205.8 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108122584B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朴恩英 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710565205.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：执行储存型快闪记忆体命令的方法和装置
- 下一篇：半导体器件
