[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

说明书

半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。

技术领域

本发明的各种实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体存储装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储装置一般分为易失性存储装置和非易失性存储装置。

不同于易失性存储装置，非易失性存储装置甚至在提供给装置的电源被中断时也能维持存储在其中的数据。然而，与易失性存储装置的读取速度和写入速度相比，非易失性存储装置的读取速度和写入速度相对较低。因此，非易失性存储装置可以用于无论电源是接通还是断开都需要维持所存储的数据的应用。非易失性存储装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机读取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可以分为NOR闪存和NAND闪存。

闪存结合了RAM的数据可编程并且可擦除的优点和ROM的甚至在电源被中断时也可以保留存储在其中的数据的优点。闪存广泛地用作诸如数码相机、个人数字助理(PDA)和MP3的便携式电子装置的存储介质。

闪存装置可以分为在半导体基板上水平地形成有串(string)的二维半导体装置和在半导体基板上垂直地形成有串的三维半导体装置。

三维半导体装置被设计成克服二维半导体装置在集成度上的限制，并且包括垂直地形成在半导体基板上的多个串。各个串包括在位线与源极线之间串联联接的漏极选择晶体管、存储单元和源极选择晶体管。

发明内容

各种实施方式致力于能够提高半导体存储装置的擦除效率的半导体存储装置及其操作方法。

根据实施方式，半导体存储装置可以包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。

半导体存储装置可以包括：存储串，所述存储串包括在源极线与位线之间串联联接的源极选择晶体管、多个存储单元和漏极选择晶体管；页缓冲器，所述页缓冲器联接至所述位线；以及电压发生器，所述电压发生器用于向所述源极线施加预擦除电压和擦除电压，其中，在擦除操作期间，所述页缓冲器电路在所述预擦除电压被施加至所述源极线之前向所述位线施加初始设置电压，并且在所述预擦除电压和所述擦除电压被施加至所述源极线时使所述位线浮置。

一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：向从多个存储块当中选择的存储块的位线施加初始设置电压；使所述位线浮置；以及当所述位线被浮置时，向所选择的所述存储块的源极线施加擦除电压。

半导体存储装置可以包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向所述至少一个存储块的位线施加所述擦除电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在所述擦除操作期间同时或交替地向所述源极线和所述位线施加所述擦除电压。

附图说明