[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；

电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；

读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及

控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路以在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述至少一个存储块的字线施加接地电压并且向所述位线施加所述初始设置电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述初始设置电压大于0V并且低于电源电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器通过向所述源极线施加预擦除电压并将所述预擦除电压增大至所述擦除电压来施加所述擦除电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述读取和写入电路在施加所述预擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述读取和写入电路还在向所述位线施加所述初始设置电压之后向所述源极线施加所述擦除电压时控制所述位线处于浮置状态。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在施加所述擦除电压时控制所述至少一个存储块的所述字线处于浮置状态。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在控制所述字线处于所述浮置状态之前向所述字线施加正设定电压。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在向所述源极线施加所述擦除电压之前向包括在所述至少一个存储块中的管状晶体管的栅极施加正设定电压，并且还在向所述源极线施加所述擦除电压时控制所述管状晶体管处于浮置状态。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述源极线依次施加预定正电压和所述接地电压。

10.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

存储器串，所述存储器串包括在源极线与位线之间串联联接的源极选择晶体管、多个存储单元和漏极选择晶体管；

页缓冲器，所述页缓冲器联接至所述位线；以及

电压发生器，所述电压发生器用于向所述源极线施加预擦除电压和擦除电压，

其中，在擦除操作期间，所述页缓冲器在所述预擦除电压被施加至所述源极线之前向所述位线施加初始设置电压，并且在所述预擦除电压和所述擦除电压被施加至所述源极线时使所述位线浮置，并且

其中，所述电压发生器在向所述位线施加所述初始设置电压时向联接至所述存储单元的字线施加接地电压。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述初始设置电压大于0V并且低于电源电压。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在向所述源极线施加所述预擦除电压时向所述字线施加预定正电压，并且还在施加所述擦除电压时使所述字线浮置。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生器还在向所述源极线施加所述预擦除电压之前向所述源极线依次施加预定正电压和所述接地电压。

14.一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

向从多个存储块当中选择的存储块的位线施加初始设置电压并且向所选择的存储块的字线施加接地电压；

使所述位线浮置；以及

当所述位线被浮置时，向所选择的存储块的源极线施加擦除电压。