[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710542838.7 申请日: 2017-07-05
公开(公告)号: CN107622955B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 名久井勇辉;冈本直树;齐藤明;田中深志;横森刚;二宫勇 申请(专利权)人: 捷进科技有限公司
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;闫剑平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法。在通过上推单元上推裸芯片时,有时裸芯片变形,挠曲至筒夹的吸附面之下,产生泄漏。半导体制造装置具备吸附裸芯片的筒夹部,所述筒夹部具备:具有第二吸引孔的管状部;位于保持具有第一吸引孔的吸附部的保持部及所述管状部的外侧的外周部;构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间的第三吸引孔;以及提起单元,因所述裸芯片的周边部向下方向挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏,该提起单元的内压变高,由此压下所述外周部,使其与所述裸芯片的周边部抵接,变得不产生所述泄漏,该内压降低由此提起所述外周部,提起所述裸芯片的周边部。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 半导体器件 方法
【主权项】:
一种半导体制造装置,其特征在于,具备吸附裸芯片的筒夹部,所述筒夹部具备:吸附部,其具有第一吸引孔,吸附所述裸芯片的中央附近;保持部,其保持所述吸附部;管状部,其与所述保持部连接,具有与第一吸引孔相连的第二吸引孔;外周部,其位于所述保持部及所述管状部的外侧;第三吸引孔,其构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间;以及提起单元,因所述裸芯片的周边部向下方挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏,所述提起单元的内压变高,由此压下所述外周部使其与所述裸芯片的周边部抵接,变得不产生所述泄漏,所述提起单元的内压降低,由此提起所述外周部,提起所述裸芯片的周边部。
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