[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，

具备吸附裸芯片的筒夹部，

所述筒夹部具备：

吸附部，其具有第一吸引孔，吸附所述裸芯片的中央附近；

保持部，其保持所述吸附部；

管状部，其与所述保持部连接，具有与第一吸引孔相连的第二吸引孔；

外周部，其位于所述保持部及所述管状部的外侧；

第三吸引孔，其构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间；以及

提起单元，因所述裸芯片的周边部向下方挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏，所述提起单元的内压变高，由此压下所述外周部使其与所述裸芯片的周边部抵接，变得不产生所述泄漏，所述提起单元的内压降低，由此提起所述外周部，提起所述裸芯片的周边部。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述提起单元是设置于所述外周部的上方且在所述管状部的外侧的波纹管机构，若内压变高，则通过波纹管机构的恢复力压下所述外周部，若内压降低，则通过所述波纹管机构的吸引力提起所述外周部。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述波纹管机构由从所述管状部水平延伸的安装部、所述外周部的水平部、连接于所述安装部与所述外周部的水平部之间的波纹管构成，

经由设置于所述外周部的水平部的孔，使所述波纹管机构与所述第三吸引孔连通。

4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述提起单元是设置于所述外周部的上方且在所述管状部的外侧的隔膜机构，若内压变高，则通过隔膜机构的恢复力压下所述外周部，若内压降低，则通过所述隔膜机构的吸引力提起所述外周部。

5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述隔膜机构由从所述管状部水平延伸的安装部、所述外周部的上部的水平部、所述外周部的上部的垂直部、连接于所述安装部、以及所述外周部的上部的水平部与所述外周部的上部的垂直部之间的隔膜构成，

经由设置于所述外周部的上部的孔，使所述隔膜机构和所述第二吸引孔连通。

6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述隔膜机构由从所述管状部水平延伸的第一安装部、从比所述第一安装部靠下方的所述管状部水平延伸的第二安装部、所述外周部的上部的水平部、连接于所述第一安装部与所述外周部的上部之间的第一隔膜、以及连接于所述第二安装部与比所述外周部的所述上部靠下方的所述外周部之间的第二隔膜构成。

7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述提起单元是设置于所述外周部的上方且在所述管状部的外侧的活塞机构，若内压变高，则通过活塞机构的恢复力压下所述外周部，若内压降低，则通过所述活塞机构的吸引力提起所述外周部。

8.根据权利要求7所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述活塞机构由从所述管状部水平延伸的安装部、所述外周部的上部的水平部、所述外周部的上部的垂直部、一端连接于所述安装部的下表面及所述管状部且另一端连接于所述外周部的上部的垂直部的盖部、以及连接于所述盖部与所述外周部的上部的水平部之间的弹簧构成，

经由设置于所述外周部的上部的孔，使所述活塞机构和所述第二吸引孔连通。

9.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，还具备：

上推单元，其从切割带的下方吸附并上推所述裸芯片；以及

拾取头，其安装有所述筒夹部。

10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，还具备：

中间载台，其载置由所述拾取头拾取的裸芯片；以及

贴装头，其将载置于所述中间载台的裸芯片向基板或已贴装的裸芯片之上贴装。