[发明专利]垂直型存储器件有效
| 申请号： | 201710541567.3 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107689392B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 南泌旭;金成吉;崔至薰;S.金;安宰永;金泓奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直型存储器件可以包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层，或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同，或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直型存储器件，包括：沟道层，在衬底上垂直地延伸；地选择晶体管，在所述衬底上在所述沟道层的一侧，所述地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；蚀刻控制层，在所述第一替代栅电极上；以及存储单元，在所述蚀刻控制层上，所述存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。
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