[发明专利]垂直型存储器件

说明书

一种垂直型存储器件可以包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层，或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同，或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。

技术领域

本公开涉及存储器件，且更具体地，涉及垂直型存储器件。

背景技术

电子产品在尺寸上正逐渐减小，但仍被期望执行高容量数据处理。因此，期望增加这样的电子产品中使用的存储器件的集成度。已经提出了提高存储器件的集成度的一种可行方法，在该方法中使用了具有垂直晶体管结构而非平面晶体管结构的垂直型存储器件。

发明内容

本公开可以提供一种可以更可靠且更易制造的垂直型存储器件。

根据本公开的一方面，提供一种垂直型存储器件，其包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。

根据本公开的另一方面，提供一种垂直型存储器件，其包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在沟道层的一侧的栅绝缘层，栅绝缘层在衬底上垂直地延伸；在栅绝缘层的一侧的蚀刻控制层，蚀刻控制层相对于衬底水平地延伸并且相对于衬底由第一开口垂直地分开；在蚀刻控制层下方的第一开口中的第一替代栅电极；多个层间绝缘层，相对于衬底垂直地堆叠在蚀刻控制层上并由于多个第二开口而彼此分开；以及在所述多个第二开口的每个中的第二替代栅电极。

根据本公开的另一方面，提供一种垂直型存储器件。该垂直型存储器件可以包括在衬底上垂直地延伸的沟道层以及在衬底上的垫绝缘材料层。蚀刻控制层可以在垫绝缘材料层上方。该垂直型存储器件可以包括在沟道层的一侧的栅绝缘层，栅绝缘层可以在蚀刻控制层的壁上垂直地延伸并水平地延伸到蚀刻控制层与垫绝缘材料层之间的凹陷中。该垂直型存储器件可以包括在蚀刻控制层与垫绝缘材料层之间的栅绝缘层的壁上的第一替代栅电极。

附图说明

本公开的方面将从以下结合附图的详细描述中被更清楚地理解，附图中：

图1是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件的电路图；

图2A和2B是根据本公开的方面的垂直型存储器件的主要部分的剖面图；

图3A和3B是根据本公开的方面的垂直型存储器件的主要部分的剖面图；

图4至19是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件及其制造方法的图；

图20和21是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件及其制造方法的剖面图；

图22是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件及其制造方法的剖面图；

图23是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件及其制造方法的剖面图；以及

图24是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件的示意框图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。在此使用的单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地另有所指。

图1是用于描述根据本公开的方面的垂直型存储器件1100的电路图。