[发明专利]垂直型存储器件

权利要求书

1.一种垂直型存储器件，包括：

沟道层，在衬底上垂直地延伸；

地选择晶体管，在所述衬底上在所述沟道层的一侧，所述地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；

蚀刻控制层，在所述第一替代栅电极上并且相对于所述衬底水平地延伸；以及

存储单元，在所述蚀刻控制层上，所述存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。

2.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述蚀刻控制层包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层。

3.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述蚀刻控制层包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。

4.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述第一替代栅电极的厚度与所述第二替代栅电极的厚度相同。

5.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中在所述第一替代栅电极中的凹陷侧槽在所述蚀刻控制层下方，并且所述第一栅绝缘部分在所述凹陷侧槽中。

6.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述第一替代栅电极的厚度大于所述第二替代栅电极的厚度。

7.如权利要求6所述的垂直型存储器件，其中在所述第一替代栅电极中的凹陷侧槽在所述蚀刻控制层下方，并且所述沟道层和所述第一栅绝缘部分在所述凹陷侧槽中。

8.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述第一替代栅电极与所述第一栅绝缘部分的横向延伸部分的侧壁相邻。

9.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述沟道层具有用填充绝缘层填充的内部开口部分。

10.如权利要求1所述的垂直型存储器件，其中所述衬底包括凹陷，并且其中所述沟道层垂直地延伸到所述凹陷中并接触所述衬底。

11.一种垂直型存储器件，包括：

沟道层，在衬底上垂直地延伸；

栅绝缘层，在所述沟道层的一侧，所述栅绝缘层在所述衬底上垂直地延伸；

蚀刻控制层，在所述栅绝缘层的一侧，所述蚀刻控制层相对于所述衬底水平地延伸并通过第一开口相对于所述衬底垂直地分开；

第一替代栅电极，在所述蚀刻控制层下方的所述第一开口中；

多个层间绝缘层，所述多个层间绝缘层相对于所述衬底垂直地堆叠在所述蚀刻控制层上并且由于多个第二开口而彼此分开；以及

第二替代栅电极，在所述多个第二开口的每个中。

12.如权利要求11所述的垂直型存储器件，其中所述蚀刻控制层包括多晶硅氧化物层或用杂质掺杂的多晶硅层。

13.如权利要求11所述的垂直型存储器件，其中所述第一替代栅电极的厚度与所述第二替代栅电极的厚度相同。

14.如权利要求11所述的垂直型存储器件，其中面对所述沟道层的凹陷侧槽在所述蚀刻控制层下方，并且所述栅绝缘层在所述凹陷侧槽中。

15.如权利要求11所述的垂直型存储器件，其中所述第一替代栅电极的厚度大于所述第二替代栅电极的厚度，面对所述沟道层的凹陷侧槽在所述蚀刻控制层下方，并且所述沟道层和所述栅绝缘层在所述凹陷侧槽中。

16.一种垂直型存储器件，包括：

在衬底上垂直地延伸的沟道层；

在所述衬底上的垫绝缘材料层；

在所述垫绝缘材料层上方的蚀刻控制层；

在所述沟道层的一侧的栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述蚀刻控制层的壁上垂直地延伸并水平地延伸到所述蚀刻控制层与所述垫绝缘材料层之间的凹陷中；以及

第一替代栅电极，在所述蚀刻控制层与所述垫绝缘材料层之间的所述栅绝缘层的壁上。