“S.金”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果61个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于水脱盐的能够实现选择性离子亲和力的电压受控的阴离子交换膜和包含该膜的装置-CN201911022386.5有效
发明人： S.金;J.迈洛亚;M.科恩布卢特;G.森索尼德策;M.梅茨格;S.库潘;S.黑尔斯特龙;B.科青斯基;N.克雷格 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本发明涉及用于水脱盐的能够实现选择性离子亲和力的电压受控的阴离子交换膜和包含该膜的装置。脱盐装置包括容器、第一和第二电极、阴离子交换膜(AEM)和电源。容器容纳具有升高的溶解盐浓度的盐水。AEM将容器分成第一和第二隔室，向其中分别设置第一和第二电极。AEM具有连续的多孔结构和与该多孔结构偶合的多个带负电荷的氧官能团。电源被配置成向第一和第二电极中的一个选择性地施加电压。当施加电压时AEM具有选择渗透性，以使得盐水溶液中的阳离子具有从中穿过的第一扩散速率d1且盐水溶液中的阴离子具有从中穿过的第二扩散速率d2。第一扩散率d1小于第二扩散率d2并大于或等于零。
用于脱盐能够实现选择性离子亲和力电压受控阴离子交换包含装置

[发明专利]用于隧穿场效应晶体管的截止状态寄生漏电减少-CN201580080415.7有效
发明人： V.H.勒;G.德维;B.朱-龚;A.阿格拉沃尔;M.V.梅茨;W.拉克马迪;M.C.弗伦奇;J.T.卡瓦利罗斯;R.里奥斯;S.金;S.H.宋;S.K.加德纳;J.M.鲍维斯;S.R.塔夫特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种方法包括在衬底上的结区之间形成器件的非平面导电沟道，衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在沟道上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电介质材料和栅极电极。一种方法包括在半导体衬底上形成缓冲材料，缓冲材料包括包含与衬底不同的晶格结构的半导体材料；在缓冲材料上形成阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在衬底上形成晶体管器件。一种装置包括衬底上的非平面多栅极器件，其包括晶体管器件，所述晶体管器件包括设置在衬底上的沟道，所述衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质。
用于场效应晶体管截止状态寄生漏电减少

[发明专利]CVD设备和膜形成方法-CN202210517314.3在审
发明人：相田高永;S.金 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种CVD设备，包括室、基座、用于衬底的入口/取出口和设置在入口/取出口处的闸阀，其中基座具有安装板和支撑件，入口/取出口设置在室的一侧的一部分上，并且设置在从室的内底面到当基座沿竖直方向位于上端时对应于安装板的下表面的位置的范围内，并且室的内底面、从室的内底面到当基座沿竖直方向位于上端时对应于安装板的下表面的位置的范围、安装板的下表面和支撑件的外侧表面涂覆有陶瓷衬里。
cvd 设备形成方法

[发明专利]半导体处理方法-CN202210285545.6在审
发明人：林完奎;姜熙成;J.O.柯;J.B.安;S.金;Y.J.金;D.H.柯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成空气间隙的衬底处理方法包括：在第一突起和第二突起之间的下部空间中形成沉积抑制剂位点；以及在第一突起和第二突起上形成膜形成位点和层间绝缘层，其中层间绝缘层通过沉积抑制剂位点和膜形成层而选择性地形成在第一突起和第二突起之间的上部空间中，因此在第一突起和第二突起之间形成空气间隙。
半导体处理方法

[发明专利]量子点发光器件及包括其的显示设备-CN201910747510.8有效
发明人：朴宰贤;S.金;金奎男 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供了一种量子点发光器件及包括其的显示设备。量子点发光器件包括阳极；阴极；设置在所述阳极与所述阴极之间的空穴传输层；设置在所述空穴传输层与所述阴极之间的发光层，所述发光层包括具有核‑壳结构的量子点；和设置在所述空穴传输层与所述发光层之间的缓冲层，其中所述缓冲层包含有机化合物或其衍生物。提高了外部量子效率和器件稳定性。
量子发光器件包括显示设备

[发明专利]跳动和摆动测量固定装置-CN202111515734.X在审
发明人： A.N.帕蒂尔;沙奇特.拉提;S.金;S.K.T.R.穆拉利德哈尔 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：提供了一种固定装置。该固定装置包括基部、转台、第一传感器和第二传感器。转台支撑在基部上，可绕旋转轴线旋转，并配置成可滑动地安置基座组件，以绕旋转轴线旋转。第一传感器相对于基部固定，从旋转轴线径向偏移，并且配置为确定基座组件的离位跳动。第二传感器相对于第一传感器固定，从第一传感器轴向偏移，并且配置为确定基座组件的离位摆动。还描述了确定用于半导体处理系统的基座组件的离位跳动和离位摆动的固定装置布置及方法。
跳动摆动测量固定装置

[发明专利]基于RGB-D照相机的跟踪系统及其方法-CN201780038684.6有效
发明人： S.金;B.P.W.巴布;Z.严;L.任 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：一种视觉SLAM系统包括多个关键帧，所述多个关键帧包括关键帧、当前关键帧以及先前关键帧；双密集视觉测距，其被配置为提供在多个关键帧中的两个关键帧之间的成对变换估计；帧生成器，其被配置为创建关键帧图；环约束评估器，其将约束添加到接收关键帧图；以及图优化器，其被配置为产生具有轨迹的绘图。
基于 rgb 照相机跟踪系统及其方法

[发明专利]用于等离子体设备的基座组件-CN202111054274.5在审
发明人： S.金;田中宏治 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：用于反应器系统的基座组件可以提供各种等离子体控制益处。根据各种实施例，基座组件包括主体、加热器元件、第一电极和第二电极。主体可以具有顶表面、侧表面和底表面，其中顶表面是衬底支撑表面。加热器元件可以嵌入主体内。第一和第二电极也可以嵌入基座组件的主体内，第一电极设置在加热器元件和主体的顶表面之间。第二电极通常可以靠近侧表面和底表面中的至少一个设置。
用于等离子体设备基座组件

[发明专利]用氨基乙酰丙酸合酶2(ALAS2)调节剂治疗的方法-CN202080053837.6在审
发明人： G.钱凯塔;P.刘;S.金;B.C.舒克;隋治华;K.卢 -专利权人：安吉奥斯医药品有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C07D413/04 文献下载
摘要：本文描述的是式I的化合物或其药学上可接受的盐：其中环A、R1、R2、a、b和n如本文所定义。还描述了治疗患有需要治疗的障碍的受试者的方法，包括通过施用式(I)化合物或其药学上可接受的盐来抑制受试者体内的氨基乙酰丙酸合酶2(ALAS2)。特别感兴趣的障碍是血液障碍，例如卟啉症和贫血。
氨基乙酰丙酸 alas2 调节剂治疗方法

[发明专利]形成用于纳米线设备结构的自对准垫片的方法-CN201580085509.3有效
发明人： K.贾姆布纳坦;G.格拉斯;A.墨菲;J.S.江;S.金 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了形成自对准纳米线垫片结构的方法。实施例包括：形成包括第一纳米线和第二纳米线的沟道结构。邻近沟道结构形成源极/漏极结构，其中衬垫材料被布置在源极/漏极结构的侧壁的至少一部分上。在第一和第二纳米线之间形成纳米线垫片结构，其中纳米线垫片包括衬垫的被氧化部分。
形成用于纳米设备结构对准垫片方法

[发明专利]用于将用户注意力引导到基于位置的游戏进行伴随应用的方法和系统-CN201780036844.3有效
发明人： W.贝内德托;S.金 -专利权人：索尼互动娱乐有限责任公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H04N21/478 文献下载
摘要：一种用于在HMD中提供信息的方法。所述方法包括在如通过所述HMD的3D显示器呈现的用户的虚拟现实(VR)观看环境中定义活动区。所述方法包括将主要内容放置在所述VR观看环境的所述活动区中。所述方法包括在所述活动区外部定义一个或多个外围区。所述方法包括将次要内容放置在所述VR观看环境的第一外围区中。所述方法包括结合在所述次要内容中输入新数据，在所述活动区内显示吸引子，其中所述吸引子将所述用户的注意力引向所述第一外围区。所述方法包括检测所述HMD从指向所述活动区的所述第一取向朝向指向所述第一外围区的第二取向的旋转。所述方法包括暂停所述主要内容。
用于用户注意力引导基于位置游戏进行伴随应用方法系统

[发明专利]具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管-CN202111084347.5在审
发明人： G.A.格拉斯;K.贾姆布纳坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管。公开了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通过与晶体管相关联的源极区和漏极区之间的底层衬底的一部分的电流泄漏）的子鳍绝缘层的半导体晶体管器件的技术。通过制造衬底的子鳍区中的牺牲层在鳍的至少一个沟道区下面的晶体管来降低寄生泄漏。在处理期间，利用电介质材料整体或部分地去除并替换子鳍区中的牺牲层。该电介质材料增加鳍的对应源极和漏极部分之间的衬底的电阻率，因此降低寄生泄漏。
具有沟道降低泄漏晶体管

[发明专利]具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管-CN201580085500.2有效
发明人： G.A.格拉斯;K.贾姆布纳坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通过与晶体管相关联的源极区和漏极区之间的底层衬底的一部分的电流泄漏）的子鳍绝缘层的半导体晶体管器件的技术。通过制造衬底的子鳍区中的牺牲层在鳍的至少一个沟道区下面的晶体管来降低寄生泄漏。在处理期间，利用电介质材料整体或部分地去除并替换子鳍区中的牺牲层。该电介质材料增加鳍的对应源极和漏极部分之间的衬底的电阻率，因此降低寄生泄漏。
具有沟道降低泄漏晶体管

[发明专利]具有可调接头的衬底操作装置-CN202110234936.0在审
发明人： K.金;S.金;R.奈克 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本公开涉及一种可调接头，用于插入用于衬底加工的衬底操作器的联动装置中。可调接头允许调节附接连杆的俯仰和翻滚。这样的调节可以允许将末端执行器的拾取表面对准期望平面。在调节之后，可以固定接头以保持附接连杆的期望取向。可调接头允许校正由于例如由高温使用引起的下垂、机械公差和/或安装误差而造成的末端执行器的拾取表面相对于期望拾取平面的偏转。
具有可调接头衬底操作装置

[发明专利]变速箱的油贮存结构-CN202110234798.6在审
发明人：吴炯昊;全镕雨;S.金;李泽珍;金载泳;徐材旼;尹容勋 -专利权人：加特可株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： F16H57/04 文献下载
摘要：一种变速箱的油贮存结构，在油盘变形时，确保吸入口的开口面积。变速箱(1)的油(OL)的贮存结构具备：将变速箱(1)的下部开口(41)堵塞，在变速箱(1)内的下部的空间形成油积存部的油盘(5)；使油(OL)的吸入口(66)位于油积存部的滤油器(6)。油(OL)的吸入口(66)与油盘(5)的底壁部(51)隔开间隔而相对设置。在油盘(5)的底壁部(51)形成有向吸入口(66)侧突出的凸部(56)，该凸部(56)从底壁部(51)侧观察形成在横穿吸入口(66)的方向。
变速箱贮存结构

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 61 条