[发明专利]一种超薄碳化硅芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201710525097.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564805A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘昊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄碳化硅芯片的制作方法，首先完成碳化硅正面器件工艺，使用研磨膜保护正面图形，进行砂轮快速减薄，使用激光在碳化硅划片槽里面形成划片空洞层，在碳化硅衬底背面蒸发金属层，经过激光退火形成背面欧姆接触，然后溅射加厚金属层，最后通过裂片的方式分离碳化硅芯片。该方法能够有效提高器件电流密度，不改变芯片尺寸的情况下，降低正向导通电压，从而增加正面芯片数量，节约成本，缩减成本，实现批量大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 碳化硅 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：(1)完成碳化硅衬底正面的外延工艺；(2)碳化硅衬底正面进行贴膜保护；(3)碳化硅衬底背面进行快速减薄；(4)在碳化硅器件正面进行激光划片；(5)碳化硅衬底背面蒸发欧姆金属；(6)对碳化硅衬底背面欧姆金属进行激光退火；(7)碳化硅衬底背面欧姆金属上溅射加厚金属层；(8)进行裂片分离碳化硅芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
