[发明专利]一种超薄碳化硅芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201710525097.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564805A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘昊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 碳化硅 芯片 制作方法 | ||
1.一种超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
(1)完成碳化硅衬底正面的外延工艺；
(2)碳化硅衬底正面进行贴膜保护；
(3)碳化硅衬底背面进行快速减薄；
(4)在碳化硅器件正面进行激光划片；
(5)碳化硅衬底背面蒸发欧姆金属；
(6)对碳化硅衬底背面欧姆金属进行激光退火；
(7)碳化硅衬底背面欧姆金属上溅射加厚金属层；
(8)进行裂片分离碳化硅芯片。
2.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中，碳化硅衬底正面外延工艺包括正面离子注入、肖特基接触、正面加厚金属和介质生长。
3.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中，正面贴膜为研磨膜。
4.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述快速减薄采用砂轮减薄的方式。
5.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述激光划片分多次划片完成。
6.根据权利要求5所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述激光划片分三次划片：
第一次激光进入离碳化硅正面划片槽80-180μm的地方形成划片空洞层；
第二次激光进入碳化硅正面划片槽1/2处形成划片空洞层；
第三次激光进入离碳化硅正面划片槽1/4处形成划片空洞层。
7.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(5)中，所述欧姆金属为镍、钛镍或镍硅。
8.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(7)中，所述加厚金属层为Ti/Ni/Ag，在溅射加厚金属层之前对欧姆金属表面进行离子铣处理。
9.根据权利要求1所述的超薄碳化硅芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤(8)中，裂片方式为劈裂或滚轮碾压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
