[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710508310.8 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108630658A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 韩意书;李泰勇;柳智妍 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 信号分布 半导体晶粒 半导体装置 电子组件 结构顶 耦合到 分布结构 囊封材料 导电柱 第一导电层 结构横向 介电层 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。
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