[发明专利]检测漏(源)端有源区影响器件性能的单元结构及实现方法在审
| 申请号： | 201710500676.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148435A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 沈立 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明以MOS器件结构为出发点，提出了一种适用于电路设计者研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构。该PCELL结构包括源漏有源区（Source/Drain）、栅极(PLOY)、通孔(Contact)。其中该源漏有源区到栅极的距离（LS/LD）是可变的，且可呈一定函数关系变化。其中通孔所在位置亦有三种形式，对器件性能产生不同影响。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 影响器件性能 通孔 源漏 单元结构 函数关系 器件性能 可变的 电路 出发点 检测 研究 | ||
【主权项】：
1.一种研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构，包括Drain端到POLY的距离LD（如图1），Source端到POLY的距离LS（如图1），连接有源区到衬底的Contact，其特征在于，漏源有源区可互换，形成不同器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
