[发明专利]检测漏(源)端有源区影响器件性能的单元结构及实现方法在审
| 申请号: | 201710500676.0 | 申请日: | 2017-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN109148435A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 沈立 | 申请(专利权)人: | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/417 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 源区 影响器件性能 通孔 源漏 单元结构 函数关系 器件性能 可变的 电路 出发点 检测 研究 | ||
1.一种研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构,包括Drain端到POLY的距离LD(如图1),Source端到POLY的距离LS(如图1),连接有源区到衬底的Contact,其特征在于,漏源有源区可互换,形成不同器件结构。
2.如权利要求1所述的Drain端到POLY的距离LD(如图1),其特征在于,所述距离LD长度可任意变换。
3.如权利要求1所述的Source端到POLY的距离LS(如图1),其特征在于,所述距离LS长度可任意变换。
4.如权利要求1所述的Contact,其特征在于,该Contact所处位置有三种形式(如图2、图3所示)。
5.如权利要求2、3所述的Drain/Source端,其特征在于,所属Drain/Source端互换形成新的器件结构具有不同的性能。
6.如权利要求2、3Drain端到POLY的距离LD,Source端到POLY的距离LS,LD与LS可呈一定倍数关系设置(LD=n*LS),不同的n值产生不同性能的器件结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





