[发明专利]检测漏(源)端有源区影响器件性能的单元结构及实现方法

说明书

本发明以MOS器件结构为出发点，提出了一种适用于电路设计者研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构。该PCELL结构包括源漏有源区（Source/Drain）、栅极(PLOY)、通孔(Contact)。其中该源漏有源区到栅极的距离（LS/LD）是可变的，且可呈一定函数关系变化。其中通孔所在位置亦有三种形式，对器件性能产生不同影响。

技术领域

本发明涉及集成电路器件领域，尤其涉及金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法。

背景技术

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOS管在gate端接入电压后，器件源漏两端存在电阻，当gate端电压大于阈值电压后，MOS管导通开始工作。源漏两端的电阻称之为导通电阻，导通电阻的大小直接影响着MOS管的阈值电压、漏端电流从而影响MOS管的工作效率。

发明内容

本发明提供单元（PCELL）结构，可用来研究不同导通电阻值对于器件性能的影响。

本发明提供了PCELL结构，包括源漏有源区，POLY极以及金属连接孔。提供了三种不同Contact位置构成的器件结构，用以分析各自对器件性能的影响。

附图说明

图1是Contact靠近POLY，距离Drain端较远的结构图；

图2是Contact靠近Drain端，距离POLY较远的结构图；

图3是Contact均匀分布于漏端有源区的结构图。

具体实施方式

1、本专利中漏（源）端有源区宽度是可变的，Contact的位置可随之变换不同位置。

2、图1中漏端Contact与源端Contact关于POLY极对称分布，Drain端离POLY较远。此种情况不用考虑LD大于LS部分的区域，即不用考虑该部分的电阻对MOS管的影响，其功能与对称MOS是相同的。

3、图2 中漏端Contact处于Drain端最右侧，离POLY极较远。此种情况下，MOS管的导通电阻增大，会影响器件的开启电压、漏端电流及击穿电压等参数。

4、图3中漏端Contact均匀分布于漏端有源区。用来研究Contact的数量矩阵式分布是否对器件性能产生影响。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。