[发明专利]包括LDMOS晶体管的半导体装置有效
| 申请号： | 201710485102.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546222B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | A.比尔纳;M.布劳恩;H.布雷赫;C.埃克尔;M.齐格尔德伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/50;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括LDMOS晶体管的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括：半导体衬底，具有体电阻率ρ≥100 Ohm.cm、前表面和后表面；至少一个LDMOS晶体管，位于半导体衬底中；和RESURF结构。RESURF结构包括掺杂掩埋层，掺杂掩埋层被布置在半导体衬底中，与前表面和后表面分隔开一定距离，并且与LDMOS晶体管的沟道区域和主体接触区域中的至少一个区域耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 ldmos 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底，具有体电阻率ρ ≥ 100 Ohm.cm、前表面和后表面；至少一个LDMOS(侧向扩散金属氧化物半导体)晶体管，位于半导体衬底中；和RESURF结构，包括掺杂掩埋层，掺杂掩埋层被布置在半导体衬底中，与前表面和后表面分隔开一定距离，并且与LDMOS晶体管的沟道区域和主体接触区域中的至少一个区域耦合。
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