[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710463431.5 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107565016B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;黄胜煌;刘世昌;徐晨祐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体存储器件的方法。该方法包括：蚀刻半导体存储器件的第一区域以暴露第一覆盖层；在第一覆盖层上形成第二覆盖层；蚀刻第一覆盖层的部分和第二覆盖层的部分以形成到达第一金属线的第一沟槽；以及在第一沟槽中形成第二金属线以接触第一金属线。本发明实施例涉及半导体存储器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：暴露存储单元的电极；在所述电极上形成第一覆盖层；蚀刻所述第一覆盖层的部分以形成到达所述电极的第一沟槽；以及在所述第一沟槽中形成第一金属线以接触所述电极。
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