[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710461421.8 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148578B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有第一应力层；形成所述栅极结构之后，对所述第一应力层进行回刻处理，在所述第一应力层内形成开口；在所述开口内形成第二应力层。通过在所述第一应力层内形成开口；在所述开口内形成第二应力层；所述第一应力层和所述第二应力层一同用于构成所述半导体结构的源漏掺杂区；由于所述第二应力层在所述栅极结构之后形成，因此能够降低所述栅极结构形成工艺对所述第二应力层的影响，能够有效减少所述第二应力层出现应力释放问题的几率，从而有利于提高所形成半导体结构源漏掺杂区的性能，有利于改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有第一应力层；形成所述栅极结构之后，对所述第一应力层进行回刻处理，在所述第一应力层内形成开口；在所述开口内形成第二应力层。
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