[发明专利]半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质。提供一种当在形成于基板的凹部形成由硅构成的导电路时形成导电性优异的硅膜的技术。在形成于表面的凹部的下层形成单晶硅层，通过各向异性蚀刻使单晶硅层相对于晶圆露出，该晶圆在凹部的底面和侧面自下层侧起依次形成有SiN膜、SiO2膜以及第一Si膜。并且，在通过湿蚀刻去除了第一Si膜的表面的自然氧化膜之后，利用HBr气体去除第一Si膜的表面的杂质和损伤层，之后形成第二Si膜。因此，第二Si膜与SiO2膜紧密接合，且以厚且均匀的膜厚形成。因而，在对晶圆进行加热时，第二Si膜的粒子尺寸变大，从而导电性变得良好。

主权项

一种半导体装置的制造方法，在基板上形成半导体装置，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：将对在基板上的凹部内形成的硅膜的一部分进行了干蚀刻后的该基板搬入到处理容器内；蚀刻工序，接着一边对所述基板进行加热一边向真空环境的处理容器内供给从溴化氢气体和碘化氢气体中选择的蚀刻气体，来将残留于所述凹部内的侧壁的硅膜的一部分或全部去除；成膜工序，接下来在所述凹部内形成硅膜；以及加热工序，之后对基板进行加热，以使硅膜的粒径增大。