[发明专利]半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，在基板上形成半导体装置，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：

将对在基板上的凹部内形成的硅膜的一部分进行了干蚀刻后的该基板搬入到处理容器内；

蚀刻工序，接着一边对所述基板进行加热一边向真空环境的处理容器内供给从溴化氢气体和碘化氢气体中选择的蚀刻气体，来将残留于所述凹部内的侧壁的硅膜的一部分或全部去除；

成膜工序，接下来在所述凹部内形成硅膜；以及

加热工序，之后对基板进行加热，以使硅膜的粒径增大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

向所述处理容器内搬入的基板的氧化硅膜的一部分露出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

向所述处理容器内搬入的基板的氮化硅膜的一部分露出。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在向所述处理容器搬入的基板的凹部的底面，单晶硅露出，该单晶硅与在所述成膜工序中形成的所述硅膜一起形成导电路。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在同一处理容器内依次进行所述蚀刻工序、成膜工序以及加热工序。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序之前进行以下工序：在同一所述处理容器内进行化学氧化膜去除处理，来去除所述硅膜的表面的自然氧化膜。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻工序的工艺温度被设定为250℃～750℃。

8.一种热处理装置，在设置于所述热处理装置中的用于形成真空环境的处理容器内的载置部载置半导体装置制造用的基板，所述热处理装置对处理容器内进行真空排气并且一边对基板进行加热一边供给处理气体来对基板进行热处理，所述热处理装置的特征在于：

具备控制部，所述控制部输出控制信号，以执行以下步骤：将对在基板上的凹部内形成的硅膜的一部分进行了干蚀刻后的该基板搬入到所述处理容器内；蚀刻步骤，接着一边对所述基板进行加热一边向真空环境的处理容器内供给从溴化氢气体和碘化氢气体中选择的蚀刻气体，来将残留于所述凹部内的侧壁的硅膜的表面部的蚀刻残渣或该硅膜去除；成膜步骤，接下来在所述凹部内形成硅膜；以及加热步骤，之后对基板进行加热，以使硅膜的粒径增大。

9.根据权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，

所述控制部在执行将所述基板搬入到所述处理容器内的步骤之后，在所述蚀刻步骤之前还执行进行化学氧化膜去除来去除所述硅膜的表面的自然氧化膜的步骤。

10.一种存储介质，存储有热处理装置中使用的计算机程序，其中，在设置于所述热处理装置中的用于形成真空环境的处理容器内的载置部载置半导体装置制造用的基板，所述热处理装置对处理容器内进行真空排气并且一边对基板进行加热一边供给处理气体来对基板进行热处理，所述存储介质的特征在于，

所述计算机程序嵌入有步骤群，以执行根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置的制造方法。