[发明专利]形成封装结构的方法有效
| 申请号： | 201710419278.6 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108122860B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成封装结构的方法，包含形成凸块下金属层在第一介电层上；形成重分布结构在凸块下金属层上；放置半导体元件在重分布结构上；移除第一介电层的一部分以形成开口而暴露凸块下金属层；以及形成导电凸块部分嵌设在开口中，使得导电凸块电性连接凸块下金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种封装结构，其特征在于，包含：一半导体元件；一第一介电层，在该半导体元件上，该第一介电层具有一第一开口与一第二开口在该第一介电层的相对表面上，其中该第一开口与该第二开口沿着相反的方向上渐缩；一重分布线，部分地在该第一介电层的该第一开口中，且该重分布线电性连接该半导体元件；以及一导电凸块，部分嵌设在该第二开口中，且该导电凸块电性连接该重分布线。
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