[发明专利]衬底及其制作方法有效
| 申请号： | 201710406672.6 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN108987250B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王燕;王华杰;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一硅衬底，所述硅衬底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为洁净区，所述洁净区以外的硅衬底中包含有氧析出物区；2）于所述硅衬底的第二表面形成低应力的介电薄膜，用以改善所述硅衬底在高温条件下的表面应力集中现象。本发明采用等离子增强化学气相沉积法，通过高射频功率、高射频频率以及高气体源流量的创新设计，可以迅速地在衬底的背表面生长一层低应力的介电薄膜，以有效改善衬底表面在高温条件下的应力集中现象，从而改善其弯曲变形现象。本发明结构及工艺简单，可以有效提高衬底质量，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一硅衬底，所述硅衬底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为洁净区，所述洁净区以外的硅衬底中包含有氧析出物区；2)于所述硅衬底的第二表面形成低应力的介电薄膜，用以改善所述硅衬底在高温条件下的表面应力集中现象。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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