[发明专利]衬底及其制作方法

权利要求书

1.一种衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)提供一硅衬底，所述硅衬底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为洁净区，所述洁净区以外的硅衬底中包含有氧析出物区；

2)于所述硅衬底的第二表面形成低应力的介电薄膜，用以改善所述硅衬底在高温条件下的表面应力集中现象；采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD于所述硅衬底的第二表面形成低应力的介电薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积法所采用的射频功率范围为600～1200瓦特，所述等离子体增强化学气相沉积法所采用的射频的频率范围为11.28～14.26MHz，所述低应力的介电薄膜中的应力不大于50Mpa。

2.根据权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于：所述高温条件的温度范围为700～1200℃。

3.根据权利要求2所述的衬底的制作方法，其特征在于：还包括步骤：3)于800～1100℃的温度范围下，采用化学气相沉积法于所述硅衬底的洁净区表面沉积外延层。

4.根据权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于：所述介电薄膜包括二氧化硅及氮化硅中的一种。

5.根据权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于：所述介电薄膜的厚度范围为0.1～1μm。

6.根据权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于：所述等离子体增强化学气相沉积法所采用的射频的温度范围为300～450℃。

7.根据权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于：所述介电薄膜包括二氧化硅，所述等离子体增强化学气相沉积法所采用的气体源为SiH₄及N₂O，稀释气体为H₂，所述SiH₄的流量范围为200～500sccm，所述N₂O的流量为5000～10000sccm，所述H₂的流量范围为1000～3000sccm。