[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201710401098.5 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN108987410A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华;邓天旸 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法。本发明薄膜晶体管和阵列基板制备方法如下制备有源层的步骤:在薄膜晶体管所含的栅绝缘层外表面采用溶液法形成无机有源前驱体层,后对所述无机有源前驱体层进行退火处理形成无机有源层;至少重复依次以溶液法形成无机有源前驱体层和退火处理为周期的步骤。本发明薄膜晶体管制备方法结合溶液法采用分步多次制备有源层,从而有效减少有源层因溶液蒸发等因素产生的缺陷,提高有源层特别是与靠近栅极一端有效沟道层的致密性,从而提高了薄膜晶体管中载流子的迁移率,减少制备的薄膜晶体管的阈值电压漂移,从而提高制备的薄膜晶体管电学性能。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 源层 前驱体层 阵列基板 溶液法 退火处理 载流子 阈值电压漂移 电学性能 有效沟道 有效减少 栅绝缘层 迁移率 致密性 蒸发 重复 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制备方法,包括如下制备有源层的步骤:在薄膜晶体管所含的栅绝缘层外表面采用溶液法形成无机有源前驱体层,后对所述无机有源前驱体层进行退火处理形成无机有源层;在所述无机有源层外表面至少依次重复进行一次所述采用溶液法形成无机有源前驱体层和对所述无机有源前驱体层进行退火处理的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710401098.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的