[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板的制备方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法。本发明薄膜晶体管和阵列基板制备方法如下制备有源层的步骤：在薄膜晶体管所含的栅绝缘层外表面采用溶液法形成无机有源前驱体层，后对所述无机有源前驱体层进行退火处理形成无机有源层；至少重复依次以溶液法形成无机有源前驱体层和退火处理为周期的步骤。本发明薄膜晶体管制备方法结合溶液法采用分步多次制备有源层，从而有效减少有源层因溶液蒸发等因素产生的缺陷，提高有源层特别是与靠近栅极一端有效沟道层的致密性，从而提高了薄膜晶体管中载流子的迁移率，减少制备的薄膜晶体管的阈值电压漂移，从而提高制备的薄膜晶体管电学性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法。

背景技术

显示器已经成为人们日常工作和生活中不可或缺的部分，随着液晶显示器的发展和有源矩阵概念的深入，薄膜晶体管(TFT)技术得到了广泛的研究。目前比较成熟的TFT技术包括以氢化非晶硅(a-Si:H TFT)和多晶硅(p-Si TFT)薄膜晶体管为代表的硅基薄膜晶体管等，两者均已得到广泛的应用，但前者较低的场效应迁移率及后者较高的成本难以大规模生产使其发展遭到了局限性，更不适合下一代显示技术OLED及QLED的应用。有机薄膜晶体管(OTFT)具备制备方法多、可低温制备、柔韧度高等优势，但器件稳定性较差，且有机物易受水氧等外界条件影响等不利于其进一步应用。由于现有氧化物TFT(氧化物薄膜晶体管)如基于ZnO形成的IGZO(铟镓锌氧化物)TFT技术因为其与传统的非晶硅和多晶硅TFT相比具有高迁移率和稳定性，均匀性好等优点，而且其薄膜可实现低温制备，衬底可以选择柔性的塑料，以制备柔性显示器件，是近年来备受业界关注并得到大力发展的新型TFT背板技术。

目前，制备氧化物TFT的方法通常采用磁控溅射等真空制备方法制备氧化物有源层，但是现有真空制备方法存在对设备要求高，制备成本高，而且溅射沉积的氧化物有源层质量也难控制。

在这种背景下，当前出现了采用溶液法制备金属氧化物有源层的方法。如当前出现的溶液法制备金属氧化物有源层的方法是通过喷墨打印的方法制备形成所述金属氧化物有源层。该溶液法具有低成本、材料成分可控等优势而受到 了广泛的研究。然而在实际生产中发现，该溶液法制备金属氧化物有源层相对比传统的真空制备金属氧化物有源层等方法，制备的氧化物TFT传输特性和可靠性较差。研究发现是该溶液法由于溶剂的存在，且在溶剂挥发后，造成有源层存在气孔缺陷。而研究小组针对此所采取的改善方法如调整热处理条件、前驱体等方法依然要面临溶液在蒸发过程中带来气孔等问题，这将对氧化物TFT的传输特性和可靠性能造成很大影响。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法，以及现有采用溶液法制备的氧化物薄膜晶体管所含有源层存在气孔等不良现象而导致氧化物薄膜晶体管的传输特性和可靠性能不理想的技术问题。

为了实现上述发明目的，本发明的一方面，提供了一薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管制备方法包括如下制备有源层的步骤：

在薄膜晶体管所含的栅绝缘层外表面采用溶液法形成无机有源前驱体层，后对所述无机有源前驱体层进行退火处理形成无机有源层；

在所述无机有源层外表面至少依次重复进行一次所述采用溶液法形成无机有源前驱体层和对所述无机有源前驱体层进行退火处理的步骤。

本发明的另一方面，提供了一种阵列基板的制备方法。所述阵列基板的制备方法包括形成薄膜晶体管的步骤；所述薄膜晶体管的形成方法是通过本发明薄膜晶体管的制备方法形成。