[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710401098.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987410A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华;邓天旸 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 源层 前驱体层 阵列基板 溶液法 退火处理 载流子 阈值电压漂移 电学性能 有效沟道 有效减少 栅绝缘层 迁移率 致密性 蒸发 重复 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下制备有源层的步骤：
在薄膜晶体管所含的栅绝缘层外表面采用溶液法形成无机有源前驱体层，后对所述无机有源前驱体层进行退火处理形成无机有源层；
在所述无机有源层外表面至少依次重复进行一次所述采用溶液法形成无机有源前驱体层和对所述无机有源前驱体层进行退火处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述退火处理是将形成的所述无机有源前驱体层经干燥处理后先于100-500℃条件下预退火处理1-60min后，继续在100-500℃条件下后退火处理0.5-5h。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述预退火处理的温度为300℃，时间为5min；所述后退火处理的温度为450℃，时间为3h。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：用于形成无机有源前驱体层的溶液的溶质摩尔浓度为0.1-0.5mol/L。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述无机有源层的材料为IGZO、ZTO中的至少一种。
6.根据权利要求1-2任一所述的制备方法，其特征在于：所述采用溶液法形成无机有源前驱体层的方法为旋涂法、喷墨打印法中的任一种。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂法的工艺条件为：转速为500-5000rpm，旋涂时间为10-60，旋涂溶液的溶质摩尔浓度为0.1-0.5M。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述喷墨打印法的工艺条件为：喷头与衬底间距为1-10mm，喷头电压设置为5-20V，旋涂溶液的溶质摩尔浓度为0.1-0.5M。
9.根据权利要求1-2、7、8任一所述的制备方法，其特征在于：所述有源层的厚度为20-200nm。
10.一种阵列基板的制备方法，包括形成薄膜晶体管的步骤；其特征在于，所述薄膜晶体管的形成方法是通过权利要求1-9任一项所述的制备方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
