[发明专利]制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201710385165.9 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN107785249B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 简昭欣;徐崇浚;季维均;刘继文 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/47
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种制造半导体装置的方法,包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层,并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层,以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。
搜索关键词: 制造 半导体 装置 方法
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,其特征在于,包含:形成一第一金属层于一半导体基板上;形成一第二金属层于该第一金属层上,其中该第二金属层由与该第一金属层不同的金属形成;以及施加微波辐射于该半导体基板、该第一金属层以及该第二金属层,以形成一合金,其包含该第一金属层、该第二金属层以及该半导体基板的成分。
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