[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。

技术领域

本揭露是关于制造半导体集成电路的方法，更具体地涉及制造具有场效晶体管(field effect transistor,FET)结构的半导体装置。

背景技术

随着半导体工业引入具有更高性能和更大功能性的新一代集成电路(integratedcircuits,ICs)，导致集成电路的元件的密度增加，并且金属触点和布线的尺寸减小，进而增加电路的电阻。因此，半导体业界皆期望减小接触区域处的电阻以在集成电路中提供进一步的改进。

发明内容

根据本揭露的一方面是提供一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。先形成第一金属层于半导体基板上，再形成第二金属层于第一金属层上，其中第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。接着，施加微波辐射于半导体基板、第一金属层以及第二金属层，以形成合金，其包含第一金属层、第二金属层以及半导体基板的成分，其中微波辐射以0.6kW至4.4kW的功率施加40秒至240秒，合金是NiGePt₂三元合金。

本揭露的另一方面是提供一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。先形成栅极结构于半导体基板的第一区域，接着，形成源极/漏极区域于半导体基板的第二区域，其中第二区域位于第一区域的相对侧上。然后，形成第一金属层于源极/漏极区域，之后，形成第二金属层于第一金属层上，其中第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。最后，施加微波辐射于半导体基板、第一金属层以及第二金属层，以形成合金，其包含第一金属层、第二金属层以及半导体基板的成分，其中微波辐射以1.2kW至4.4kW的功率施加40秒至240秒，合金是NiGePt₂三元合金。

本揭露的另一方面是提供一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。首先，在半导体基板中形成一对间隔开的源极/漏极区域。接着，在源极/漏极区域上形成第一金属层，之后，在第一金属层上形成第二金属层，其中，第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以在源极/漏极区域上形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金之后，在半导体基板上方形成高介电绝缘层，并且在间隔开的源极/漏极区域之间的区域中的高介电绝缘层上方形成导电金属层。接着，在源极/漏极区域上形成导电接触。合金是NiGePt₂三元合金。

附图说明

当以下详细描述与附图一起阅读时，可以最好地理解本揭露。要强调的是，根据工业中的标准实践，各种特征不是按比例绘制的，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚地讨论，可以任意地增加或减少各种特征的尺寸。

图1绘示根据本揭露部分实施方式中，制造半导体装置的方法的流程图；

图2-图12绘示根据本揭露部分实施方式中，制造半导体装置的方法；

图13绘示根据本揭露部分实施方式中，制造半导体装置的方法的流程图；

图14绘示根据本揭露部分实施方式中，制造半导体装置的方法的流程图；

图5-图23绘示根据本揭露部分实施方式中，制造场效晶体管半导体装置的方法；

图24-图31绘示根据本揭露部分实施方式中，制造场效晶体管半导体装置的方法；

图32A-图34B绘示根据本揭露部分实施方式中，制造场效晶体管半导体装置的方法；

图35绘示根据本揭露部分实施方式中，将微波辐射施加到半导体装置的微波系统。

具体实施方式