[发明专利]传片监测系统及传片监测方法、半导体加工设备有效
申请号: | 201710368102.2 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN108962805B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 高正 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种传片监测系统,用于监测机械手上的晶片是否发生偏移,包括对射传感器和移动装置,对射传感器包括:发射极和接收极;移动装置用于驱动发射极和接收极至少一个移动,且在移动过程中发射极和接收极之间可进行信号的发送和接收;当晶片静止待检测时,发射极和接收极分别位于晶片所在平面的上侧和下侧;将接收极接收到的信息与预设标准信息进行比较,以判断晶片是否发生偏移;预设标准信息是指在晶片未发生偏移的情况下,在发射极和/或接收极移动过程中,接收极接收到的信息。本发明还提供一种传片监测方法和半导体加工设备。本发明可以避免在晶片偏移量过大时进行监测而发生碎片或者撞片的问题,故,本发明可以提高监测过程的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 监测 系统 方法 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种传片监测系统,用于监测机械手上的晶片是否发生偏移,其特征在于,包括对射传感器和移动装置,所述对射传感器包括:发射极和接收极;所述移动装置用于驱动所述发射极和所述接收极至少一个移动,且在移动过程中所述发射极和所述接收极之间可进行信号的发送和接收;当所述晶片静止待检测时,所述发射极和所述接收极分别位于所述晶片所在平面的上侧和下侧;将所述接收极接收到的信息与预设标准信息进行比较,以判断所述晶片是否发生偏移;所述预设标准信息是指在晶片未发生偏移的情况下,在所述发射极和/或所述接收极移动过程中,所述接收极接收到的信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710368102.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造