[发明专利]传片监测系统及传片监测方法、半导体加工设备

说明书

本发明提供一种传片监测系统，用于监测机械手上的晶片是否发生偏移，包括对射传感器和移动装置，对射传感器包括：发射极和接收极；移动装置用于驱动发射极和接收极至少一个移动，且在移动过程中发射极和接收极之间可进行信号的发送和接收；当晶片静止待检测时，发射极和接收极分别位于晶片所在平面的上侧和下侧；将接收极接收到的信息与预设标准信息进行比较，以判断晶片是否发生偏移；预设标准信息是指在晶片未发生偏移的情况下，在发射极和/或接收极移动过程中，接收极接收到的信息。本发明还提供一种传片监测方法和半导体加工设备。本发明可以避免在晶片偏移量过大时进行监测而发生碎片或者撞片的问题，故，本发明可以提高监测过程的可靠性。

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种传片监测系统及

传片监测方法、半导体加工设备。

背景技术

物理气相沉积或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。

在物理气相沉积工艺中(300mm及以上晶片)，需要4个工艺步骤才能完成整个物理气相沉积工艺，四个工艺按照顺序分别为：1)去气工艺(Degas)；2)预清洗工艺(PreClean)；3)铜阻挡层工艺(Ta/Tan)；4)铜籽晶层工艺(Cu)。其中，完成各个工艺需要在相应的腔室内进行。

由于在工艺过程中，晶片难免会受到不同因素的影响而在机械手上的位置发生偏移，若偏移量过大，机械手继续进行传输晶片，会存在撞片的风险。在现有技术中，通过在机械手传片过程中收集数据判断晶片是否发生偏移，即，需要机械手移动进行配合监测。但是，这样仍然会存在晶片偏移量较大时存在撞片的风险。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种传片监测系统及监测方法、半导体加工设备，可以避免在晶片偏移量过大时进行监测而发生碎片或者撞片的问题。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种传片监测系统，用于监测机械手上的晶片是否发生偏移，包括对射传感器和移动装置，所述对射传感器包括：发射极和接收极；

所述移动装置用于驱动所述发射极和所述接收极至少一个移动，且在移动过程中所述发射极和所述接收极之间可进行信号的发送和接收；

当所述晶片静止待检测时，所述发射极和所述接收极分别位于所述晶片所在平面的上侧和下侧；

将所述接收极接收到的信息与预设标准信息进行比较，以判断所述晶片是否发生偏移；

所述预设标准信息是指在晶片未发生偏移的情况下，在所述发射极和/或所述接收极移动过程中，所述接收极接收到的信息。

优选地，所述移动装置包括：驱动器和直线导轨；

所述发射极或所述接收极设置在所述直线导轨上；

所述驱动器用于驱动所述发射极或所述接收极沿所述直线导轨进行直线运动。

优选地，移动的所述发射极或所述接收极在所述直线导轨上的起始位置和终止位置在所述晶片所在平面上的正投影位置均在处于标准位置的所述晶片的外侧；

所述标准位置是指所述晶片未发生偏移时所处的位置。

优选地，所述信息包括：沿所述直线导轨从起始位置到晶片的第一边界位置的第一距离信息、沿所述直线导轨从所述第一边界位置到晶片的第二边界位置的第二距离信息；

通过根据所述接收极接收到的第一距离信息和第二距离信息以及预设标准信息中的第一距离信息和第二距离信息，来计算晶片沿直线导轨所在方向上的第一偏移量。

优选地，所述预设标准信息中还包括晶片的尺寸信息；