[发明专利]晶体管及半导体器件有效
| 申请号： | 201710362546.5 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107452799B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李承勋;金东宇;徐东灿;金善政 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/775;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：漏极；源极；栅电极；以及所述源极和所述漏极之间的第一纳米线，其中所述第一纳米线具有有第一厚度的第一部分和有不同于所述第一厚度的第二厚度的第二部分，以及其中所述第二部分在所述第一部分与所述源极和所述漏极中的至少一个之间，当电压被施加到所述栅电极时所述第一纳米线包括沟道。
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