[发明专利]晶体管及半导体器件

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

漏极；

源极；

栅电极；

所述源极和所述漏极之间的第一纳米线；以及

栅间隔物，形成在所述栅电极的相反侧壁上，

其中所述栅间隔物在其中包括孔，

所述第一纳米线延伸穿过所述栅间隔物中的所述孔以接触所述源极和所述漏极，

其中所述第一纳米线具有有第一厚度的第一部分和有不同于所述第一厚度的第二厚度的第二部分，以及其中所述第二部分在所述第一部分与所述源极和所述漏极中的至少一个之间，当电压被施加到所述栅电极时所述第一纳米线包括沟道，

所述栅电极围绕所述第一部分的外围，

所述栅间隔物围绕所述第二部分的外围。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中：

所述第一部分重叠所述栅电极，以及

所述第二部分不重叠所述栅电极。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中：

所述第一部分不重叠所述栅间隔物，

所述第二部分重叠所述栅间隔物。

4.如权利要求3所述的晶体管，其中所述栅间隔物包括在所述孔的相反侧上的外间隔物和内间隔物，

所述外间隔物与所述第一纳米线的侧表面接触，所述内间隔物与所述第一纳米线的下表面接触。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中：

所述第一部分具有第一表面，

所述第二部分具有第二表面，以及

所述第一表面和所述第二表面在所述第一纳米线的同一侧但在不同的平面中。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一纳米线的所述第一部分和所述第二部分被布置为基本上具有哑铃形状。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一纳米线具有在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，以及其中所述第三部分的表面相对于所述第一部分和所述第二部分倾斜。

8.如权利要求1所述的晶体管，其中：

所述第一纳米线包括至少一个凹窝，以及

所述至少一个凹窝在所述第一部分的表面和所述第二部分的表面之间。

9.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一部分具有圆化的表面。

10.如权利要求1所述的晶体管，还包括重叠所述源极、所述漏极和所述第一纳米线中的至少一个的鳍形图案。

11.如权利要求1所述的晶体管，还包括：

所述源极和所述漏极之间并且重叠所述第一纳米线的第二纳米线。

12.如权利要求11所述的晶体管，其中所述第二纳米线具有与所述第一纳米线不同的形状。

13.如权利要求11所述的晶体管，其中所述第一纳米线和所述第二纳米线具有不同的剖面面积。

14.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。