[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法

摘要

本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。

主权项

1.一种半导体层序列(100)，其包括：‑第一氮化物化合物半导体层(1)，‑第二氮化物化合物半导体层(2)，和‑设置在所述第一氮化物化合物半导体层(1)和所述第二氮化物化合物半导体层(2)之间的中间层(10)，其中‑从所述第一氮化物化合物半导体层(1)起，所述中间层(10)和所述第二氮化物化合物半导体层(2)沿着所述半导体层序列(100)的生长方向(Z)依次地设置并且直接相继地彼此邻接，‑所述中间层(10)至少局部地具有与所述第一氮化物化合物半导体层(1)不同的晶格常数，并且‑所述第二氮化物化合物半导体层(2)至少局部地与所述中间层(10)晶格匹配，‑所述中间层(10)包括微裂纹(11)，并且‑所述第一氮化物化合物半导体层(1)具有腔(30)，所述腔在俯视图中与所述中间层(10)的所述微裂纹(11)重叠。