[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法

说明书

本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。

本发明专利申请是申请日为2014年1月28日、申请号为201480006555.5、发明名称为“半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

提出一种半导体层序列和一种用于制造该半导体层序列的方法。半导体层序列能够是电子的、尤其是光电子的半导体层序列。

背景技术

文献Physica Status Solidi c,No.6,1583-1606(2003)/DOI 10.1002/pssc.200303122涉及一种用于制造半导体层序列的方法。

发明内容

待实现的目的在于：提出一种半导体层序列，所述半导体层序列可成本有效地且节省材料地制造。

根据半导体层序列的至少一个实施方式，该半导体层序列包括第一氮化物化合物半导体层、第二氮化物化合物半导体层和设置在第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层。在本文中将“氮化物化合物半导体层”和/或“中间层”理解为如下半导体层，所述半导体层局部地包括氮化物化合物半导体材料或者由氮化物化合物半导体材料构成。

将“氮化物化合物半导体材料”理解为如下半导体材料，所述半导体材料具有Al_nGa_mIn_1-n-mN或者由其构成，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此该材料不必强制性地具有根据上式的数学上的精确组份。更确切地说，其例如能够具有一种或多种掺杂物质以及附加的组成部分。然而为了简单起见，上式仅包含晶格(Al、Ga、In、N)的主要的组成部分，即使这些组成部分能够部分地通过少量其它的物质来取代和/或补充时也如此。

第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层至少局部地不直接彼此邻接，而是通过中间层彼此隔开。这就是说：第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物半导体层分别借助朝向中间层的面邻接、尤其是直接邻接中间层。此外可以考虑的是，在中间层中构成微裂纹时第二氮化物化合物半导体层至少局部地经由中间层的微裂纹与第一氮化物化合物半导体层至少部分地连接。

根据半导体层序列的至少一个实施方式，从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接。在本文中将“生长方向”理解为半导体层序列的生长方向。

根据半导体层序列的至少一个实施方式，中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数。在本文中也能够将“晶格常数”理解为平均晶格常数。

这就是说：中间层不匹配于第一氮化物化合物半导体层的晶格常数。中间层首先在制造公差的范围中生长在第一氮化物化合物半导体层上，其中随着生长的进行，中间层尤其在微裂纹形成的条件下松弛并且至少局部地具有对于中间层而言特定的晶格常数。特定的晶格常数与第一氮化物化合物半导体层的晶格常数不同。换句话说，中间层尽可能与通过第一氮化物化合物半导体层预设的晶格常数无关地生长。中间层在第一氮化物化合物半导体层上的非匹配晶格的生长尤其能够通过中间层的生长工艺期间的工艺参数来控制、影响和/或确定。