[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201710344384.2 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN107425014B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 操彬彬;黄寅虎;杨成绍;钱海蛟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时,根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态,将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题,本发明通过间隔设置栅电极和栅线,使得在制备多晶硅半导体层时,栅电极与栅线为未连通状态,从而避免了激光能量的扩散问题,激光能量能够集中对非晶硅层照射,短时间内提升栅电极的温度,提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率,实现使用较少的激光资源制备晶粒更大,迁移率更高的多晶硅半导体的效果。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;位于所述衬底基板之上的多行栅线,以及与每行所述栅线对应且间隔设置的栅电极;位于所述栅电极和栅线之上的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的第一过孔以及第二过孔,其中,所述第一过孔暴露出所述栅电极,所述第二过孔暴露出所述栅线;位于所述栅极绝缘层之上的导电连接层和多晶硅半导体层,且所述导电连接层通过所述第一过孔和所述第二过孔,连通所述栅线和所述栅电极;位于所述多晶硅半导体层之上的源漏极。
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