[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时，根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态，将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题，本发明通过间隔设置栅电极和栅线，使得在制备多晶硅半导体层时，栅电极与栅线为未连通状态，从而避免了激光能量的扩散问题，激光能量能够集中对非晶硅层照射，短时间内提升栅电极的温度，提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率，实现使用较少的激光资源制备晶粒更大，迁移率更高的多晶硅半导体的效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

目前应用于TFT LCD(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)(LiquidCrystalDisplay，液晶显示装置)的材料主要包括，非晶硅(a-Si TFT)以及多晶硅(Poly-SiTFT)。其中，多晶硅主要包含HTPS(High Temperature Poly-Silicon，高温多晶硅)与LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)。

由于非晶硅存在低迁移率、低稳定性等很多无法避免的缺点，而LTPS具有较高的迁移率及稳定性，其迁移率甚至可达非晶硅的几十倍甚至几百倍。因此，采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管的技术得到了迅速发展，由LTPS衍生的新一代LCD或OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电致发光显示装置)成为重要的显示技术，尤其是OLED显示装置。

现有的采用LTPS技术的显示装置为顶栅型结构，但顶栅型结构需要利用9至11次掩膜版工艺。然而，底栅型低温多晶硅薄膜晶体管只需利用4至6次掩膜版工艺即可制备完成，相比顶栅型低温多晶硅薄膜晶体管的成本更容易控制。

通常形成多晶硅半导体层的工艺为，先形成非晶硅半导体层，然后对非晶硅层通过局部激光退火工艺，使得非晶硅半导体层中栅电极对应的区域转化为多晶硅半导体层，一次照射即可完成熔融结晶，从而提升了半导体器件的迁移率，适合高世代线生产，而且工艺窗口较宽。

然而，由于金属的传热效率很高，而且与栅电极相连的栅线遍布整个显示面板，导致照射在非晶硅半导体层上的热量传递给栅电极，再通过与栅电极连接的栅线将照射能量分散到显示面板的各个区域，使得激光能量用于转化非晶硅半导体层的效率低，晶化效果较差。

综上所述，如何提高多晶硅转换的照射激光的利用效率，提升多晶硅的转换效果，成为业界关注的问题。

发明内容

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板之上的多行栅线，以及与每行所述栅线对应且间隔设置的栅电极；位于所述栅电极和栅线之上的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的第一过孔以及第二过孔，其中，所述第一过孔暴露出所述栅电极，所述第二过孔暴露出所述栅线；位于所述栅极绝缘层之上的导电连接层和多晶硅半导体层，且所述导电连接层通过所述第一过孔和所述第二过孔，连通所述栅线和所述栅电极；位于所述多晶硅半导体层之上的源漏极。

在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时，根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态，将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题，本发明通过间隔设置栅电极和栅线，使得在制备多晶硅半导体层时，栅电极与栅线为未连通状态，从而避免了激光能量的扩散问题，激光能量能够集中对非晶硅层照射，短时间内提升栅电极的温度，提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率，实现使用较少的激光资源制备晶粒更大，迁移率更高的多晶硅半导体的效果。

较佳地，所述导电连接层和所述源漏极为同层设置。

较佳地，形成所述导电连接层与所述源漏极的材料相同。

由于导电连接层和源漏极的形成材料相同，可一次同时形成导电连接层和源漏极，从而缩短了制备时间，提升了制备效率。