[发明专利]一种半导体生产工艺及装置在审
申请号: | 201710343697.6 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107026091A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 黄源炜;曹周;桑林波;李韦晓 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510530 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种半导体生产工艺及装置,其中半导体生产工艺为提供整片引线框架,在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理,然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理,所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。通过调整生产工艺,使管脚半切后立即进行整形处理,消除管脚半切产生的内应力和拱曲变形,可以顺利进行后续的电镀处理和单颗分离处理,有效的避免了电镀和单颗分离时设备上下料困难、卡料以及分离模具定位不准的问题,提高了产品的良率,同时,还可增大整片引线框架的片宽,提高单颗分离的数量,即提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 生产工艺 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体生产工艺,其特征在于,提供整片引线框架,在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理,然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理,所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰群电子科技(东莞)有限公司,未经杰群电子科技(东莞)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710343697.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于检测发电机中的泄漏的系统及方法
- 下一篇:泄漏检查装置及泄漏检查方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造