[发明专利]一种半导体生产工艺及装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体生产工艺及装置。

背景技术

半导体(Semiconductor)是指常温下导电性介于导体(Conductor)与绝缘体(Insulator)之间的材料。在半导体封装过程中常采用引线框架作为集成电路的芯片载体，引线框架是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。目前半导体封装产品大多要求在引线框架的管脚侧面镀锡，以提高产品在PCB板上的焊接牢固性，对引线框架采用管脚半切方式处理可以达到该要求。现有的半导体封装中的引线框架的主要工艺流程为：整片引线框架注塑成型-烘烤-管脚半切-电镀-烘烤-分离成单颗的引线框架。此工艺流程具有以下缺陷：在管脚半切后整片引线框架会产生拱曲变形，从而导致电镀和分离单颗产品过程中出现设备上下料困难、卡料以及分离模具定位不准等问题，使得产品报废，且整片引线框架半切后的拱曲变形量与其片宽成正比，即引线框架片宽越宽变形越严重。

发明内容

本发明的一个目的在于：提供一种半导体生产工艺，其能有效的消除管脚半切后的内应力，保证电镀和单颗分离工序能正常进行，提高良品率。

本发明的另一个目的在于：提供一种半导体生产工艺，其适用于大片宽的引线框架制作，提高生产效率。

本发明的又一个目的在于：提供一种半导体生产装置，其结构简单，生产出来的单颗引线框架的品质好，生产效率高。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种半导体生产工艺，提供整片引线框架，在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理，然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理，所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，所述整形处理具体为：在所述引线框架上施加压力，然后对所述引线框架进行烘烤处理。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，所述整形处理包括以下步骤：

步骤S10、将多个所述引线框架层叠后放置在料盒内；

步骤S20、将压块放置在最上层的所述引线框架上；

步骤S30、对料盒内的所述引线框架进行烘烤处理。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，所述步骤S20中的所述压块施加在所述引线框架上的力均匀分布，且力的大小可调。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，所述压块施加在所述引线框架上的压力为5kgf～15kgf；或，

所述压块的重量为5kg～15kg。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，将所述料盒、所述引线框架以及所述压块整体移送至烘烤箱内。

作为半导体生产工艺的一种优选方案，所述步骤S30中的烘烤处理具体为：在所述料盒的外壁均匀缠绕一圈加热电缆或电加热带或加热盘管。

进一步的，所述步骤S30中的烘烤处理具体为：采用热风机向所述料盒内输送固定温度的热风。

另一方面，提供一种半导体生产装置，包括：

注塑组件，用于对整片的引线框架进行注塑处理；

管脚半切组件，用于对注塑处理后的所述引线框架进行管脚半切；

整形组件，用于对管脚半切后的所述引线框架进行消除内应力和拱曲变形；

电镀组件，用于对整形后的所述引线框架进行电镀处理；

分离组件，用于将电镀处理后的所述引线框架进行单颗分离处理；

所述注塑组件、所述管脚半切组件、所述整形组件、所述电镀组件以及所述分离组件顺序设置。

作为半导体生产装置的一种优选方案，所述整形组件包括：

料盒，具有用于存放整片所述引线框架的空间；

压块，可选择性与设置在所述料盒内的所述引线框架抵接；

加热机构，设置在所述料盒外，用于对所述料盒内的所述引线框架进行烘烤处理。

作为半导体生产装置的一种优选方案，所述整形组件还包括设置在所述料盒一侧的机架，所述机架顶部设置横梁，所述横梁上设置压块气缸，所述压块气缸的活塞杆端部连接所述压块，可推动所述压块沿竖直方向移动，以伸入所述料盒内或移除所述料盒外。

进一步的，所述压块远离所述所述压块气缸的一侧设置压力传感器，所述压力传感器与控制器连接。

进一步的，所述压块施加给所述整片引线框架的压力为2kgf～15kgf。