[发明专利]一种半导体生产工艺及装置

权利要求书

1.一种半导体生产工艺，其特征在于，提供整片引线框架，在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理，然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理，所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。

2.根据权利要求1所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述整形处理具体为：在所述引线框架上施加压力，然后对所述引线框架进行烘烤处理。

3.根据权利要求2所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述整形处理包括以下步骤：

步骤S10、将多个所述引线框架层叠后放置在料盒内；

步骤S20、将压块放置在最上层的所述引线框架上；

步骤S30、对料盒内的所述引线框架进行烘烤处理。

4.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述步骤S20中的所述压块施加在所述引线框架上的力均匀分布，且力的大小可调。

5.根据权利要求4所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述压块施加在所述引线框架上的压力为5kgf～15kgf；或，

所述压块的重量为5kg～15kg。

6.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述步骤S30中的烘烤处理具体为：将所述料盒、所述引线框架以及所述压块整体移送至烘烤箱内。

7.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述步骤S30中的烘烤处理具体为：在所述料盒的外壁均匀缠绕一圈加热电缆或电加热带或加热盘管。

8.一种半导体生产装置，其特征在于，应用于如权利要求1至7任一项所述半导体生产工艺，其包括：

注塑组件，用于对整片的引线框架进行注塑处理；

管脚半切组件，用于对注塑处理后的所述引线框架进行管脚半切；

整形组件，用于对管脚半切后的所述引线框架进行消除内应力和拱曲变形；

电镀组件，用于对整形后的所述引线框架进行电镀处理；

分离组件，用于将电镀处理后的所述引线框架进行单颗分离处理；

所述注塑组件、所述管脚半切组件、所述整形组件、所述电镀组件以及所述分离组件顺序设置。

9.根据权利要求8所述的半导体生产装置，其特征在于，所述整形组件包括：

料盒，具有用于存放整片所述引线框架的空间；

压块，可选择性与设置在所述料盒内的所述引线框架抵接；

加热机构，设置在所述料盒外，用于对所述料盒内的所述引线框架进行烘烤处理。

10.根据权利要求9所述的半导体生产装置，其特征在于，所述整形组件还包括设置在所述料盒一侧的机架，所述机架顶部设置横梁，所述横梁上设置压块气缸，所述压块气缸的活塞杆端部连接所述压块，可推动所述压块沿竖直方向移动，以伸入所述料盒内或移除所述料盒外。