[发明专利]电子装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710337523.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108630624A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 韩意书;李泰勇;柳智妍 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电子装置及其制造方法。本发明涉及一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；第二电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至讯号分布结构的顶侧且被直接地定位在第一电子组件和第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖讯号分布结构的顶侧的至少一部分、第一电子组件和第二电子组件的横向侧的至少一部分及导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在囊封材料的顶侧及导电屏蔽构件的顶侧上，其中电磁干扰屏蔽层电性地耦合至导电屏蔽构件的顶侧。本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置，以及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 顶侧 电子组件 导电屏蔽构件 分布结构 耦合 电子装置 囊封材料 电磁干扰屏蔽层 制造 半导体装置 电磁干扰 电性地 屏蔽层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件于载体的顶侧上；附接第一电子组件到所述载体的所述顶侧；附接第二电子组件到所述载体的所述顶侧，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上形成讯号分布结构；以及形成电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层是电性耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。
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