[发明专利]电子装置及其制造方法

说明书

电子装置及其制造方法。本发明涉及一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；第二电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至讯号分布结构的顶侧且被直接地定位在第一电子组件和第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖讯号分布结构的顶侧的至少一部分、第一电子组件和第二电子组件的横向侧的至少一部分及导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在囊封材料的顶侧及导电屏蔽构件的顶侧上，其中电磁干扰屏蔽层电性地耦合至导电屏蔽构件的顶侧。本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置，以及其制造方法。

技术领域

本发明关于一种电子装置及其制造方法。

背景技术

目前的半导体装置及制造半导体装置的方法是不足的，例如会导致制造过程太耗时及/或太昂贵、会导致半导体封装具有不可靠连接及/或互连结构具有次优的尺寸…等等。经由比较习知和传统方法与如在本申请的其余部分中参看图式阐述的本发明的一些态样，习知和传统方法的进一步限制和缺点将对本领域的技术人士变得显而易见。

发明内容

本揭露的各种态样提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。作为非限制性的范例，本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置以及其制造方法。

本发明的一态样为一种制造电子装置的方法，所述方法包含：形成导电屏蔽构件于载体的顶侧上；附接第一电子组件到所述载体的所述顶侧；附接第二电子组件到所述载体的所述顶侧，其中所述导电屏蔽构件被直接横向地定位在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间；形成囊封材料，其覆盖所述载体的所述顶侧的至少一部分、所述第一电子组件的横向侧的至少一部分、所述第二电子组件的横向侧的至少一部分以及所述导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一电子组件、所述第二电子组件以及所述导电屏蔽构件的每一个的个别的底侧上形成讯号分布结构；以及形成电磁干扰(EMI)屏蔽层于所述囊封材料的顶侧上以及所述导电屏蔽构件的顶侧上，其中所述电磁干扰屏蔽层是电性耦合至所述导电屏蔽构件的所述顶侧。所述方法包含在前述形成所述讯号分布结构之前移除所述载体的至少一部分。所述方法中所述导电屏蔽构件是壁形的。所述方法包含形成至少多个额外的导电屏蔽构件于所述载体的所述顶侧上，其中所述导电屏蔽构件和所述额外的导电屏蔽构件被定位成一列，并且其中前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含将所述电磁干扰屏蔽层直接地形成在所述导电屏蔽构件和所述多个额外的导电屏蔽构件的每一个的个别的顶侧上。所述方法中所述导电屏蔽构件是无焊料的。所述方法中所述导电屏蔽构件被连接至所述讯号分布结构而没有使用焊料，并且所述导电屏蔽构件被连接至所述电磁干扰屏蔽层而没有使用焊料。所述方法中前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料以覆盖所述第一电子组件的顶侧、所述第二电子组件的顶侧以及所述导电屏蔽构件的顶侧。所述方法包含在前述形成所述电磁干扰屏蔽层之前，薄化所述囊封材料以暴露所述导电屏蔽构件的至少所述顶侧。在所述方法中，前述附接所述第一电子组件包含附接所述第一电子组件的第一组件终端至所述载体的所述顶侧；前述附接所述第二电子组件包含附接所述第二电子组件的第二组件终端至所述载体的所述顶侧；以及所述方法包含移除所述载体，其中在移除所述载体之后，所述第一组件终端、所述第二组件终端、所述第一导电屏蔽构件和所述囊封材料的每一个的个别的底表面是共平面。在所述方法中，所述囊封材料包含多个横向侧，所述横向侧中的每一个与所述讯号分布结构的个别的横向侧共平面；以及前述形成所述电磁干扰屏蔽层包含形成所述电磁干扰屏蔽层于所述囊封材料的横向侧上以及所述讯号分布结构的横向侧上。