[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的显示装置有效

专利信息
申请号: 201710301139.3 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN107342296B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 金曰濬;金连洪;金正贤;金台镇;安基完;张龙在 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H10K59/121
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种半导体装置和一种包括该半导体装置的显示装置。该半导体装置包括半导体层、第一栅电极和第二栅电极。半导体层包括从沟道区延伸的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区。第一栅电极设置在半导体层下方。第一栅电极通过第一栅极绝缘层与半导体层绝缘。第一栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。第二栅电极设置在半导体层上方。第二栅电极通过第二栅极绝缘层与半导体层绝缘。第二栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。
搜索关键词: 半导体 装置 包括 显示装置
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体层,所述半导体层包括连接到沟道区的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区;第一栅电极,设置在所述半导体层下方,所述第一栅电极通过第一栅极绝缘层与所述半导体层绝缘并且与所述沟道区至少部分地叠置;以及第二栅电极,设置在所述半导体层上方,所述第二栅电极通过第二栅极绝缘层与所述半导体层绝缘并且与所述沟道区至少部分地叠置。
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