[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的显示装置

说明书

公开了一种半导体装置和一种包括该半导体装置的显示装置。该半导体装置包括半导体层、第一栅电极和第二栅电极。半导体层包括从沟道区延伸的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区。第一栅电极设置在半导体层下方。第一栅电极通过第一栅极绝缘层与半导体层绝缘。第一栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。第二栅电极设置在半导体层上方。第二栅电极通过第二栅极绝缘层与半导体层绝缘。第二栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。

本申请要求于2016年5月2日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0054105号韩国专利申请的权益，该专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置和一种包括该半导体装置的显示装置。

背景技术

显示装置是显示图像的设备。显示装置的变化形式包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器(OLED)、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。

显示装置可以包括显示元件、薄膜晶体管、电容器和布线。布线将显示元件、薄膜晶体管和电容器彼此连接。为了提供显示装置的高分辨率，会期望高性能的薄膜晶体管。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一栅电极和第二栅电极。半导体层包括从共用的沟道区延伸的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区。第一栅电极设置在半导体层下方。第一栅电极通过第一栅极绝缘层与半导体层绝缘。第一栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。第二栅电极设置在半导体层上方。第二栅电极通过第二栅极绝缘层与半导体层绝缘。第二栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。

第一薄膜晶体管可以包括共用的沟道区、第一源区、第一漏区和第一栅电极。第二薄膜晶体管可以包括共用的沟道区、第二源区、第二漏区和第二栅电极。

第一栅极绝缘层的厚度可以与第二栅极绝缘层的厚度不同。

半导体装置还可以包括层间绝缘层。层间绝缘层可以设置在第二栅电极上方。半导体装置还可以包括设置在层间绝缘层上方的第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极可以经由接触孔分别连接到第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区。

半导体装置还可以包括电容器。电容器可以包括第一电极和第二电极。第一电极可以连接到第二栅电极。第二电极可以设置在第一电极上方。第二电极可以与第一电极绝缘。第二栅电极和第一电极可以在同一层中形成单个结构。

电容器可以包括第三栅极绝缘层。第三栅极绝缘层可以设置在第一电极与第二电极之间。

第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区可以彼此分隔开。

第一源区和第二源区可以形成单个区。第一漏区可以与第二漏区分隔开。

第一源区可以与第二源区分隔开。第一漏区和第二漏区可以形成单个区。

本发明的示例性实施例提供了一种显示装置。该显示装置包括所述半导体装置、平坦化层、像素电极、对电极和中间层。平坦化层覆盖半导体装置。像素电极设置在平坦化层上方。像素电极连接到第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区中的一个。对电极面对像素电极。中间层设置在像素电极与对电极之间。

第一薄膜晶体管可以包括共用的沟道区、第一源区、第一漏区和第一栅电极。第二薄膜晶体管可以包括共用的沟道区、第二源区、第二漏区和第二栅电极。

显示装置还可以包括被构造为传输栅极信号的栅极线、被构造为传输数据信号的数据线和被构造为传输驱动电压的驱动电压线。栅极线可以连接到第一栅电极，数据线可以连接到第一源区，驱动电压线可以连接到第二源区，像素电极可以连接到第二漏区。

第二栅极绝缘层的厚度可以比第一栅极绝缘层的厚度大。