[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的显示装置有效
申请号: | 201710301139.3 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN107342296B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 金曰濬;金连洪;金正贤;金台镇;安基完;张龙在 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:
半导体层,所述半导体层包括连接到沟道区的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区;
第一栅电极,设置在所述半导体层下方,所述第一栅电极通过第一栅极绝缘层与所述半导体层绝缘并且与所述沟道区至少部分地叠置;以及
第二栅电极,设置在所述半导体层上方,所述第二栅电极通过第二栅极绝缘层与所述半导体层绝缘并且与所述沟道区至少部分地叠置,
其中,第一薄膜晶体管包括所述沟道区、所述第一源区、所述第一漏区和所述第一栅电极,并且第二薄膜晶体管包括所述沟道区、所述第二源区、所述第二漏区和所述第二栅电极。
2.一种显示装置,所述显示装置包括:
权利要求1所述的半导体装置;
平坦化层,覆盖所述半导体装置;
像素电极,设置在所述平坦化层上方,并且连接到所述第一源区、所述第一漏区、所述第二源区和所述第二漏区中的一个;
对电极,面对所述像素电极;以及
中间层,设置在所述像素电极与所述对电极之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括被构造为传输栅极信号的栅极线、被构造为传输数据信号的数据线以及被构造为传输驱动电压的驱动电压线,其中,所述栅极线连接到所述第一栅电极,所述数据线连接到所述第一源区,所述驱动电压线连接到所述第二源区,所述像素电极连接到所述第二漏区。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第二栅极绝缘层的厚度比所述第一栅极绝缘层的厚度大。
5.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
电容器,包括连接到所述第二栅电极的第一电极和设置在所述第一电极上方并且与所述第一电极绝缘的第二电极,
其中,所述第二栅电极和所述第一电极在同一层中形成单个结构。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述电容器包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的第三栅极绝缘层。
7.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括辅助电容器,其中,所述辅助电容器不与所述半导体装置叠置。
8.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括像素限定层,其中,所述像素限定层使所述像素电极的一部分暴露,覆盖所述像素电极的表面,并且限定像素。
9.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述中间层包括有机发射层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710301139.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管阵列面板
- 下一篇:薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的