[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710290235.2 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108428684A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 林柏均;朱金龙 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包含一第一晶粒；一第二晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒；一重布线层(redistribution layer，RDL)，位于该第二晶粒上方；一传导柱，延伸于该第一晶粒与该重布线层之间；以及一模制件(molding)，环绕该第一晶粒、该第二晶粒与该传导柱，其中该第一晶粒与该重布线层通过该传导柱而电性连接。本公开提供的半导体结构可最小化或缩小半导体结构的整体尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 半导体结构 重布线层 传导柱 电性连接 局部接触 模制件 最小化 制造 环绕 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一第一晶粒；一第二晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒；一重布线层(RDL)，位于该第二晶粒上方；一传导柱，延伸于该第一晶粒与该重布线层之间；以及一模制件，环绕该第一晶粒、该第二晶粒以及该传导柱，其中该第一晶粒与该重布线层通过该传导柱而电性连接。
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