[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一晶粒；

一第二晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒；

一重布线层(RDL)，位于该第二晶粒上方；

一传导柱，延伸于该第一晶粒与该重布线层之间；以及

一模制件，环绕该第一晶粒、该第二晶粒以及该传导柱，其中该第一晶粒与该重布线层通过该传导柱而电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶粒包含一第一表面以及与该第一表面对立的一第二表面，该第一表面至少局部接触该第二晶粒，以及该第二表面至少局部自该模制件暴露。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二晶粒包含一第三表面以及与该第三表面对立的一第四表面，该第三表面与该重布线层交界，以及该第四表面至少局部接触该第一晶粒。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该传导柱包含铜、银、或金。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该传导柱的一高度与该第二晶粒的一厚度实质相同。

6.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一第三晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒。

7.如权利要求6所述的半导体结构，另包括一第二传导柱，延伸于该第三晶粒与该重布线层之间，或延伸于该第三晶粒与该第二晶粒之间。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二传导柱的一高度实质等于该第一晶粒及该第二晶粒的一总厚度。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶粒与该第二晶粒垂直错位(vertically misaligned)。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶粒的一部分自该第二晶粒突出，或该第一晶粒的一侧壁自该第二晶粒突出。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该重布线层包含一介电层，至少局部交界该第二晶粒与受到该介电层环绕的一传导件。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶粒包含位于该第一晶粒上方的一第一垫件，该第二晶粒包含位于该第二晶粒上方的一第二垫件，并且该第一垫件电耦合该第二垫件。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其中一传导凸块位于该重布线层上方。

14.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一载体；

配置一第一晶粒于该载体上方；

配置一第二晶粒于该第一晶粒上方；

形成一传导柱，位于该第一晶粒上方且自该第一晶粒延伸，

形成一模制件，以环绕该第一晶粒与该第二晶粒；

形成一重布线层(RDL)于该第二晶粒与该传导柱上方；以及

移除该载体。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中形成该传导柱包含移除该模制件的一部分，以形成朝向该第一晶粒延伸的一凹部，以及配置一传导材料于该凹部内，以形成该传导柱。

16.如权利要求15所述的制造方法，其中通过激光钻孔或蚀刻，移除该模制件的该部分。

17.如权利要求14所述的制造方法，其中该模制件环绕该传导柱。

18.如权利要求14所述的制造方法，另包括：

配置一第三晶粒于该载体上方，其中该第一晶粒位于该第三晶粒上方或至少局部接触该第三晶粒；

形成一第二传导柱，位于该第三晶粒上方，并且自该第三晶粒延伸至该重布线层或自该第三晶粒延伸至该第二晶粒。