[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包含一第一晶粒；一第二晶粒，位于该第一晶粒上方或至少局部接触该第一晶粒；一重布线层(redistribution layer，RDL)，位于该第二晶粒上方；一传导柱，延伸于该第一晶粒与该重布线层之间；以及一模制件(molding)，环绕该第一晶粒、该第二晶粒与该传导柱，其中该第一晶粒与该重布线层通过该传导柱而电性连接。本公开提供的半导体结构可最小化或缩小半导体结构的整体尺寸。

技术领域

本公开涉及微电子技术领域，具体而言，涉及在该半导体结构中彼此堆迭的一些晶粒以及电性连接所述晶粒与重布线层(RDL)的一些传导柱。再者，本公开涉及包括所述堆迭的晶粒与所述传导柱的半导体结构的制造方法。

背景技术

半导体装置对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体装置的规模微小化，在单一模块中，整合且封装各种形式与尺寸的进行不同功能的半导体装置。实现各种制造操作用于整合各种形式的半导体装置。

然而，半导体装置的制造与整合涉及许多复杂的步骤与操作。具有低轮廓与高密度的半导体装置的整合变得越来越复杂。半导体装置的制造与整合复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、组件脱层、或高产量损失。因此，持续需要改良半导体装置的结构与制造制程。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构，包括一第一晶粒；一第二晶粒，位于该第一晶粒上方且至少局部接触该第一晶粒；一重布线层(RDL)位于该第二晶粒上方；传导柱延伸于该第一晶粒与该重布线层之间；以及模制件环绕该第一晶粒、该第二晶粒与该传导柱，其中该第一晶粒与该重布线层通过该传导柱而电性连接。

在本公开的一些实施例中，该第一晶粒包含一第一表面以及与该第一表面对立的一第二表面，该第一表面至少局部接触该第二晶粒，以及该第二表面至少局部自该模制件暴露。

在本公开的一些实施例中，该第二晶粒包含一第三表面以及与该第三表面对立的一第四表面，该第三表面与该重布线层交界，以及该第四表面至少局部接触该第一晶粒。

在本公开的一些实施例中，该传导柱包含铜、银、或金。

在本公开的一些实施例中，该传导柱的一高度与该第二晶粒的一厚度实质相同。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第三晶粒位于该第一晶粒上方，或至少局部接触该第一晶粒。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第二传导柱延伸于该第三晶粒与该重布线层之间，或是延伸于该第三晶粒与该第二晶粒之间。

在本公开的一些实施例中，该第二传导柱的一高度实质等于该第一晶粒及该第二晶粒的一总厚度。

在本公开的一些实施例中，该第一晶粒与该第二晶粒是垂直错位(verticallymisaligned)。

在本公开的一些实施例中，该第一晶粒的一部分自该第二晶粒突出，或该第一晶粒的一侧壁自该第二晶粒突出。

在本公开的一些实施例中，该重布线层包含一介电层，该介电层至少局部交界该第二晶粒以及受到该介电层环绕的一传导件。

在本公开的一些实施例中，该第一晶粒包含一第一垫件位于该第一晶粒上方，该第二晶粒包含一第二垫件位于该第二晶粒上方，以及该第一垫件电耦合该第二垫件。

在本公开的一些实施例中，一传导凸块位于该重布线层上方。