[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710259948.2 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107452796A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 苏品岱;江庭玮;庄惠中;田丽钧;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例的半导体装置包括至少一个有源区；至少一个氧化物上覆盖金属区，形成于所述至少一个有源区的一部分上；及至少一个栅极电极，形成于所述至少一个有源区的与形成有氧化物上覆盖金属区的有源区的部分不同的一部分上。半导体装置还包括至少一个金属层，其位于所述至少一个有源区的至少一部分上，且位于半导体装置的与上面形成有所述至少一个氧化物上覆盖金属区的层及上面形成有所述至少一个栅极电极的层不同的层上。通孔形成于所述至少一个有源区上且将所述至少一个栅极电极中的一者连接至所述至少一个金属层中的一者。所述至少一个金属层用以使所述至少一个栅极电极能够连接另一个至少一个栅极电极及/或至少一个氧化物上覆盖金属区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：至少一个有源区；至少一个栅极电极，位于所述至少一个有源区的一部分之上；以及通孔，位于所述至少一个有源区之上且用以将所述至少一个栅极电极中的一者连接至所述半导体装置的另一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710259948.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
